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雙向可控硅十大使用準(zhǔn)則

發(fā)布時(shí)間:2018-06-14 16:33:33    瀏覽:9392

  準(zhǔn)則1:為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅),必須有門(mén)極電流≧IGT,直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL。這條件必須滿足,并按可能遇到的更低溫度考慮。

  準(zhǔn)則2:要斷開(kāi)(切換)閘流管(或雙向可控硅),負(fù)載電流必須間,使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的更高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。

  準(zhǔn)則3:設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí),只要有可能,就要避開(kāi)3+象限(WT2-,+)。

  準(zhǔn)則4:為減少雜波吸收,門(mén)極連線長(zhǎng)度降至更低。返回線直接連至MT1(或陰極)。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門(mén)極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法,選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

  規(guī)則5:若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題,在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題,加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。

雙向可控硅

  準(zhǔn)則6:假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出,采用下列措施之一:負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源,并在電源側(cè)增加濾波電路。

  準(zhǔn)則7:選用好的門(mén)極觸發(fā)電路,避開(kāi)3+象限工況,可以更大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

  準(zhǔn)則8:若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出,負(fù)載上更好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法:對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。

  準(zhǔn)則9:器件固定到散熱器時(shí),避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

  準(zhǔn)則10:為了長(zhǎng)期可靠工作,應(yīng)保證Rthj-a足夠低,維持Tj不高于Tjmax,其值相應(yīng)于可能的更高環(huán)境溫度。

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