準(zhǔn)則1：為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門(mén)極電流≧IGT，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的更低溫度考慮。
準(zhǔn)則2：要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的更高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。
準(zhǔn)則3：設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限（WT2-，+）。
準(zhǔn)則4：為減少雜波吸收，門(mén)極連線長(zhǎng)度降至更低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門(mén)極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。
規(guī)則5：若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。
準(zhǔn)則6：假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。
準(zhǔn)則7：選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以更大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。
準(zhǔn)則8：若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上更好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。
準(zhǔn)則9：器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。
準(zhǔn)則10：為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應(yīng)于可能的更高環(huán)境溫度。
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